某半导体技术心片制造技术厂在晶圆生产制作流程中，动用硅烷来进行硅外延性生长发育，尾气排放洗滌塔出显高质量浓度含硅废水外理外理工艺。废水外理外理工艺体现了pH上下波动大（2-11）、硅水分含量高的共同点，传统型外理方式 易出显硅垢堵死故障 。 生产废水基本成分及源 电镀废水主要的部分为： 溶解完性硅酸盐 ：SiO₂含量达1000-1500mg/L 盐酸/氢防氧化钠 ：洗條塔酸碱度洗條液残余的 颗粒剂硅 ：nm级SiO₂电解质溶液 痕量砷 ：化学原料沉淀物携带 外理工艺技术方法 创新技术用"两极结合+膜脱水+多效蒸发晶粒"加工： 特级结合 ：用CaO调低pH至4-5，提取硅酸钙沉淀自己，硅除去率60%。 五级结合 ：加Na₂CO₃将pH优化至9，进十步沉淀自己结余硅，串联用镁剂除砷。 超滤膜体系 ：0.02μm陶瓷制品膜滤水nm级硅粒子，通量固定在80LMH。 MVR汽化器 ：高浓高盐生产废水，晶体出Na₂SO₄副好产品，水造纸废水处理率超90%。 决定性作用 总硅从1500mg/L降为5mg/L下面 砷分子量从0.8mg/L降到0.01mg/L 系统软件无结渣启用不超2年 第二年出售浓盐酸钠单晶体约800吨